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Article summary:
1. 本文研究了不同掺杂浓度的硅底电极制备的Ni/SiNx/p-Si器件中的自整流和非线性电阻切换特性。通过在正偏压下进行电成形，可以产生双极型电阻切换行为，并减小了电流过冲效应。相比于Ni/SiNx/p++-Si器件，Ni/SiNx/p+-Si器件实现了更高的自整流比。非对称的I-V特性可以通过抑制反向电流的肖特基势垒来解释，并且可以通过导通路径的尺寸来控制。在低阻态中具有较高阻值的导通路径有利于实现较高的选择比。此外，通过控制合规电流，我们展示了改善自整流和选择比的方法。这些实验结果为在CMOS兼容交叉点阵列应用中改善非线性特性提供了可能途径。
2. 传统的金属-绝缘体-金属（MIM）结构设备由于氧空位/缺陷扩散、载流子捕获和解除捕获以及肖特基势垒调制引起绝缘体电阻切换而产生记忆效应。然而，SiNx基RRAM也显示出良好的电阻切换性能。此外，金属-绝缘体-硅（MIS）结构设备在电阻切换特性方面更加灵活。
3. 自整流和非线性特性对于基于两端口的新型存储器（如RRAM和PRAM）是一个重要的要求，由于潜行路径问题。为了解决这个问题，提出了一些架构，如1D-1R、1T-1R或1S-1R。然而，考虑到设计规格和集成可用性，无选择器电阻切换元件可以减轻设计和材料复杂性，并且具有简单单元器件的固有自整流和非线性特性。
Article analysis:
对于上述文章的批判性分析，以下是一些可能的观点和问题：
1. 偏见及其来源：文章似乎偏向于支持使用Ni/SiNx/p-Si器件作为下一代非易失性存储器。然而，它没有提供关于其他竞争性技术或材料的详细比较，也没有探讨可能存在的局限性或风险。
2. 片面报道：文章主要关注了Ni/SiNx/p-Si器件的优点和特性，但并未提及任何潜在的缺点或挑战。这种片面报道可能导致读者对该技术的实际可行性和适用性产生误解。
3. 无根据的主张：文章声称通过控制掺杂浓度可以改善Ni/SiNx/p-Si器件的自整流和非线性电阻切换特性，但并未提供充分的实验证据来支持这一主张。缺乏实验证据可能使读者对该主张产生怀疑。
4. 缺失的考虑点：文章没有讨论与Ni/SiNx/p-Si器件相关的潜在问题，如耐久性、稳定性、可靠性等。这些因素对于实际应用中的存储器设备至关重要，但在文章中被忽略了。
5. 所提出主张的缺失证据：文章声称通过控制合规电流可以改善自整流和选择比，但并未提供实验证据来支持这一主张。缺乏实验证据可能使读者对该主张的有效性产生怀疑。
6. 未探索的反驳：文章没有探讨其他学术观点或研究结果，也没有提供与Ni/SiNx/p-Si器件竞争技术相比的对比分析。这种未探索的反驳可能导致读者对该技术的全面性和可靠性产生疑问。
7. 宣传内容：文章似乎更像是一篇宣传性质的文章，旨在推广Ni/SiNx/p-Si器件作为下一代非易失性存储器。然而，它没有提供足够的客观信息和数据来支持其主张，并且忽略了其他相关技术和材料。
8. 偏袒：文章似乎偏向于支持Ni/SiNx/p-Si器件，并未充分考虑其他可能的选项或竞争技术。这种偏袒可能导致读者对该技术的实际优势和适用性产生误解。
9. 是否注意到可能的风险：文章没有明确讨论Ni/SiNx/p-Si器件可能面临的潜在风险或挑战。这种缺乏对潜在风险的关注可能导致读者对该技术的实际可行性和可靠性产生误解。
10. 没有平等地呈现双方：文章没有提供与Ni/SiNx/p-Si器件竞争技术相比的客观分析，也没有探讨其他可能的选项。这种不平等的呈现可能导致读者对该技术的全面性和可靠性产生疑问。
总体而言，上述文章存在一些偏见、片面报道、无根据的主张、缺失的考虑点和证据，未探索反驳，宣传内容以及偏袒等问题。为了提高其可信度和科学性，需要更全面、客观和平衡地讨论相关技术和材料，并提供充分的实验证据来支持所提出的主张。